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題名 | 碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析=Introduction to Fabrication and Quality Analysis of Silicon Carbide and Epitaxial Wafer |
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作 者 | 徐煜翔; 余日浩; 楊富程; | 書刊名 | 工業材料 |
卷期 | 441 2023.09[民112.09] |
頁次 | 頁56-65 |
專輯 | 化合物半導體粉體晶錠與晶片材料分析技術專題 |
分類號 | 448.65 |
關鍵詞 | 碳化矽; 物理氣相傳輸法; 磊晶; 化合物半導體; 寬能隙; Silicon Carbide; Physical vapor transport; PVT; Epitaxial; Compound semiconductor; Wide bandgap; |
語文 | 中文(Chinese) |