您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
電子月刊
16:4=177 2010.04[民99.04]
頁133-144
相關文獻
高介電常數的三氧化二鐠閘極介電層在薄膜電晶體應用
內藏式電容高介電常數材料
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy
內藏被動元件有機基板之藍芽模組
金屬羰基化合物催化一氧化碳還原一氧化二氮之研究
高介電常數材料於MOSFET閘極介電層之應用
亞急性合併脊髓退化
高介電常數材料金氧半元件之發展
多倍體化與2n配子於花卉育種之應用
釕羰基錯合物催化一氧化碳還原一氧化二氮之反應機構及動力學
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題名
高介電常數的三氧化二鐠閘極介電層在薄膜電晶體應用
作者姓名(中文)
潘同明
;
吳廷圍
;
嚴立丞
;
書刊名
電子月刊
卷期
16:4=177 2010.04[民99.04]
頁次
頁133-144
分類號
448.552
關鍵詞
高介電常數材料
;
三氧化二鐠
;
多晶矽薄膜場效電晶體
;
一氧化二氮
;
語文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址