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來源資料
奈米通訊
22:1 2015.03[民104.03]
頁13-19
工程學總論
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其他非金屬材料
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題 名
高介電常數材料金氧半元件之發展=High Permittivity Gate Dielectric Materials for CMOS Technology
作 者
蔡孟辰
;
陳敏璋
;
書刊名
奈米通訊
卷 期
22:1 2015.03[民104.03]
頁 次
頁13-19
分類號
440.34
關鍵詞
高介電常數材料
;
介面層
;
High-K materials
;
Interface
;
語 文
中文(Chinese)
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