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題 名 | 利用低壓垂直式有機金屬化學氣相沈積法探討不同緩衝層對氮化銦薄膜成長之磊晶研究=The Influence of Different Buffer Layers on the InN Thin Film Growth by Vertical Reactor MOCVD |
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作 者 | 桂平宇; 袁子滔; 吳建忠; 林文仁; 李大青; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷 期 | 38:1(A) 2009.11[民98.11] |
頁 次 | 頁187-199 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 有機金屬化學氣相沉積; 載子濃度; 載子遷移率; MOCVD; Carrier concentration; Electron mobility; |
語 文 | 中文(Chinese) |