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題 名 | 非晶形硒薄膜中載子傳導之探討=Study on the Charge Transport in the Amorphous Selenium Thin Films |
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作 者 | 周榮泉; 周國裕; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷 期 | 5:1 1996.01[民85.01] |
頁 次 | 頁159-169 |
分類號 | 345.147 |
關鍵詞 | 非晶形硒材料; 光激放電分析法; 表面充電電位放電率; 活化能; 載子遷移率; 多重捕陷模式; Amorphous selenium material; Electrophotography; Surface charging potential; Activation energy; Carrier mobility; Multiple trapping model; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 非晶形硒基材料感光體為目前影印機感光體的主流之一,本論文為了對此感光體材料的基本物理特性有更深入的認識,我們以非晶形硒(aSe)材料,利用真空蒸鍍法,備製非晶形硒薄膜。再利用光激放電分析法(Electrophotography)來探討載子在非晶形硒薄膜中的傳導機制。以靜電帶電試驗分析儀(Electrostatic Paper Analyer, Model EPA 8100)量測已備製完成的非晶形硒薄膜之最初表面充電電位放電率與最後表面充電電位放電率,由實驗的結果可得一隨電場和薄膜厚度而變的載子遷移率與其對應的活化能。由上述結果可得知非晶形硒薄膜中載子傳導之方式。並嘗試以多重捕陷模式(Multiple Trapping Model)加以解釋,以建立合理之模型。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。