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| 題 名 | 功率元件之閘極寬度的最佳化設計=Optimum Design of the Power MOSFETs on Gate Width |
|---|---|
| 作 者 | 顏培仁; 陳啟文; 吳明瑞; 涂高維; 李佑仁; 簡鳳佐(Chieh, Feng-tso; | 書刊名 | 明新學報 |
| 卷 期 | 29 民92.07 |
| 頁 次 | 頁21-26 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 功率電晶體; 閘極寬度; 崩潰電壓; 導通電阻; Power MOSFET; Gate width; Breakdown voltage; BV□; On-state resistance; Rdson; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |