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來源資料
奈米通訊
13:2 民95.05
頁29-32
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題 名
利用不同厚度的氮化矽與複晶矽來製作具有局部應變通道的n型金氧半電晶體
作 者
李耀仁
;
書刊名
奈米通訊
卷 期
13:2 民95.05
頁 次
頁29-32
分類號
448.552
關鍵詞
載子遷移率
;
局部應變
;
拉伸
;
尺寸效應
;
語 文
中文(Chinese)
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