頁籤選單縮合
題 名 | Effective Channel Length Shrinkage and Earlier Punch-Through Effect in As/B-Implanted n+/p+ Dual Ploy-Si Gate CMOS Devices=具對稱雙閘極的次微米互補金氧半場效電晶體中有效通道減縮與穿透崩潰提早之研究 |
---|---|
作 者 | 陳啟文; 吳明瑞; | 書刊名 | 明新學報 |
卷 期 | 24 民89.06 |
頁 次 | 頁307-313 |
分類號 | 448.522 |
關鍵詞 | 穿透崩潰; 有效通道長度; P型複晶矽; 硼離子算擴散; 再氧化氮氧化物; 自我對準鈦矽化物; Punch-through; Effective channel length; P+-polysilicon; Boron penetration; reoxidized-oxynitride; Titanium-polycide; |
語 文 | 英文(English) |