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題 名 | ISE TCAD軟體於PMOS奈米元件製程之模擬應用=Nano-PMOS Process Simulation by Using ISE TCAD Tools |
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作 者 | 黃恆盛; 方仁宏; 陳宜鋒; | 書刊名 | 臺北科技大學學報 |
卷 期 | 35:1 2002.03[民91.03] |
頁 次 | 頁17-25 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 有效通道長度; ISE TCAD; L□; Effective channel length; Halo Imp.; Halo implant; Ge Imp.; Germanium implant; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在本研究中,我們利用ISE TCAD模擬軟體並搭配C-R方法,精確地萃取有效通道長度等各項特性參數來分析元件的性能及製程變化。而先進PMOS奈米元件通常需要特別的製程(或稱為"源/汲極製程)以得到性能的最佳化。源/汲極製程即是指在源/汲極與通道間之摻雜離子濃度分佈之設計。此製程通常是用來改善元件短通道之效應,卻也會影響有效通道長度之萃取及元件之特性。因此在本文中,我們將根據ISE TCAD製程模擬的結果探討不同源/汲極製程(包含halo implant和germanium implant)對通道長度之影響並使用C-R方法的萃取與分析,驗證我們所得到的模擬與量測結果。由ISE TCAD模擬軟體所做之不同製程模擬,及根據模擬不同摻雜濃度分佈之剖面圖,我們可以分析其結果與I-V量測數據及C-R方法萃取之參數間的關係,並說明各種源/汲極製程對於元件特性影響及如何作最佳化之調整。 |
英文摘要 | In this paper, using the ISE TCAD simulation tool and the C-R method to optimize a nano PMOS process are described. For an advanced PMOS device, some special process steps for S/D engineering usually the requested to improve Short Channel performance. Such S/D engineering are referring to the design of doping impurity distribution between S/D and channel region. That can be used to improve the short channel effect, but it will also affect the device characteristic and L□ extraction. To study that, various S/D engineering conditions [including different halo implant dose, halo implant angle, and S/D Pre-Amorphization implant (Ge) splits etc.] result in different short channel behaviors simulated, verified and discussed in detail. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。