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來源資料
奈米通訊
13:1 民95.02
頁41-44
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題 名
在矽上之P型鍺金氧半電晶體
作 者
劉致為
;
書刊名
奈米通訊
卷 期
13:1 民95.02
頁 次
頁41-44
分類號
448.552
關鍵詞
高真空化學沉積
;
介面能態密度
;
機械應變
;
遷移率
;
UHVCVD
;
Dit
;
Mechanical strain
;
Mobility
;
語 文
中文(Chinese)
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