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題 名 | 砷化鎵高速元件積體電路之金屬鑲嵌銅製程 |
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作 者 | 賴仁德; 劉建惟; 張翼; 陳克弦; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 12:3 2005.08[民94.08] |
頁 次 | 頁57-59 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 砷化鎵基材; 金屬銅鑲嵌技術; 化學機械研磨; GaAs; Copper damascene; Chemical mechanical polishing; CMP; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 摘要 本研究將使用在矽製程上已相當成熟的金屬鑲嵌技術於砷化鎵 (GaAs) 及磷化銦 (InP) 基材之銅金屬化製程中,並驗證其可行性。實驗首先在砷化鎵基板上沉積完成介電質層後,即以兩道黃光微影製程定義出引洞 (Via Hole) 和溝渠的區域,且分別以 RIE 作不同深度之乾式蝕刻,再用銅電鍍的方式鍍上銅金屬,最後以化學機械研磨技術進行表面平坦化並以 SEM 檢視其金屬導線結構。本研究已將金屬鑲嵌技術運用在三五族化合物半導體之銅金屬連線製程上,並討論此技術在三五族化合物半導體元件上的應用及研發重點。 |
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