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題名 | 氮化鎵乾式蝕刻技術(ICP-RIE)之研究=On the Study of GaN Dry Etching by Using Inductively Coupled Plasma |
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作者 | 張連璧; 劉書史; Chang, L. B.; Liu, S. S.; |
期刊 | 材料科學與工程 |
出版日期 | 200109 |
卷期 | 33:3 2001.09[民90.09] |
頁次 | 頁136-142 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 乾式蝕刻; 氮化鎵; 感應耦合電漿; Dry etching; GaN; ICP; |