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題 名 | 利用光反射調制光譜研究InGaAs/InAlAs單一量子井之躍遷能量隨溫度之變化關係 |
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作 者 | 王瑤池; 張廷桓; 歐陽嶽; 徐明生; | 書刊名 | 黃埔學報 |
卷 期 | 41 2001.09[民90.09] |
頁 次 | 頁371-377 |
分類號 | 336.9 |
關鍵詞 | 光反射調制光譜; 量子井; 瑩光光譜; InGaAs/InAlAs; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文主要是利用光反射調制光譜(PR),研究利用分子束磊晶(MBE)成長的InGaAs/InAlAs量子井之躍遷能量隨溫度變化之關係。我們由實驗中發現,在不同溫度下量子井存在許多躍遷,且其躍遷能量隨溫度降低而升高。經由Varshni方程式擬合重電洞之基態躍進(11H)隨溫度變化之關係,得到In0.53Ga0.47As的Varshni在數,分別是α=(4.9±0.7)*10-4(eV/K),β=319±95(K)。此外吾人也以螢光光譜(PL)技術對樣品作實驗,雖然僅得到量子井重電洞之基態躍遷能量及緩衝層(InAlAs)的激子躍遷能量,但其結果與PR一致。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。