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來源資料
真空科技
13:2 2000.07[民89.07]
頁64-67
金屬工藝
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腐蝕及保護;表面處理
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基本資料
引用格式
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匯出書目
題名
濺鍍源電漿狀態之探討
作者
江政忠
;
鄭銘湖
;
蕭和彥
;
蔡春鴻
;
陳至信
;
葉佩勳
;
高健薰
;
書刊名
真空科技
卷期
13:2 2000.07[民89.07]
頁次
頁64-67
分類號
472.16
關鍵詞
濺鍍系統
;
電漿發光光譜
;
光譜分析法
;
語文
中文(Chinese)
中文摘要
本研究係在濺鍍過程中,量測電漿光譜,以靶材原子和氬原子光譜強度的比值當作靶材的濺鍍速率,使用餘弦定律模擬計算基板上薄膜厚度分佈,並與實驗值比較,結果顯示具有良好的一致性,可達即時監控薄膜均勻性,也可預測在不同傳輸距離下的薄膜均勻性,且發現因碰撞效應使得餘弦定律的指數趨近於零。
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。
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