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來源資料
工業材料
160 2000.04[民89.04]
頁170-174
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題 名
MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務
編 次
上
作 者
史光國
;
書刊名
工業材料
卷 期
160 2000.04[民89.04]
頁 次
頁170-174
分類號
448.551
關鍵詞
緩衝層
;
緩衝層材料
;
半導體材料
;
MOCVD
;
語 文
中文(Chinese)
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