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檢索結果筆數(43)。
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- 題 名:
InGaN藍光雷射之近況:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
138 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁116-127
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- 題 名:
GalnNAs:新穎的高溫操作長波長半導體雷射材料:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
144 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁114-120
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- 題 名:
垂直共振腔面射型雷射二極體:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
143 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁160-168
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- 題 名:
垂直共振腔面射型雷射二極體:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
142 1998.10[民87.10]
- 頁 次:
頁165-172
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- 題 名:
高效率發光二極體:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
153 1999.09[民88.09]
- 頁 次:
頁150-161
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- 題 名:
光纖通訊之光源:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
154 1999.10[民88.10]
- 頁 次:
頁150-163
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- 題 名:
光纖通訊之光源:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
155 1999.11[民88.11]
- 頁 次:
頁165-170
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- 題 名:
InGaN藍光雷射之特性與爭論:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
156 1999.12[民88.12]
- 頁 次:
頁166-175
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- 題 名:
HVPE成長GaN厚膜:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
光學工程
- 卷 期:
63 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁42-47
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- 題 名:
高亮度AlGalnP發光二極體:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
148 1999.04[民88.04]
- 頁 次:
頁149-154
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- 題 名:
高亮度AlGalnP發光二極體:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
149 1999.05[民88.05]
- 頁 次:
頁141-153
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- 題 名:
高功率DVD紅光雷射二極體:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
147 1999.03[民88.03]
- 頁 次:
頁126-137
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- 題 名:
MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
161 2000.05[民89.05]
- 頁 次:
頁128-135
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- 題 名:
MOCVD成長Mg摻雜P-GaN之特性:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
162 2000.06[民89.06]
- 頁 次:
頁145-151
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- 題 名:
MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
160 2000.04[民89.04]
- 頁 次:
頁170-174
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- 題 名:
高效率發光二極體:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
168 2000.12[民89.12]
- 頁 次:
頁171-178
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- 題 名:
MOCVD成長Mg摻雜P-GaN之特性:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
164 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁171-178
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- 題 名:
InGaN藍光雷射之特性與爭論:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
158 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁135-140
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- 題 名:
InGaN藍光雷射之特性與爭論:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
157 2000.01[民89.01]
- 頁 次:
頁122-131
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- 題 名:
紅光VCSEL:
- 作 者:
史光國
- 書刊名:
工業材料
- 卷 期:
172 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁126-136
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