您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
指令檢索
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
工業材料
161 2000.05[民89.05]
頁128-135
相關文獻
MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務
MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務
GaN 高頻元件應用領域與發展現況
應用光調制反射技術研究砷化鎵、二硒化鉬、矽及二化釕半導體之特性
ICP-MS在半導體材料分析的應用
MOCVD成長Mg摻雜P-GaN之特性
MOCVD成長Mg摻雜P-GaN之特性
奈米半導體材料之特殊氣體感測性質
綠色矽島矽晶圓半導體材料製造供應商--中德電子材料公司永續發展之實例
雷射清潔技術於半導體材料上之研發與應用
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務
編 次
下
作 者
史光國
;
書刊名
工業材料
卷 期
161 2000.05[民89.05]
頁 次
頁128-135
分類號
448.551
關鍵詞
緩衝層
;
材料
;
半導體材料
;
AIN
;
GaN
;
MOCVD
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址