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題 名 | 單晶矽之準分子雷射微加工技術研究 |
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作 者 | 趙崇禮; 馬廣仁; 陳誼鴻; 魏茂國; | 書刊名 | 機械工業 |
卷 期 | 197 1999.08[民88.08] |
頁 次 | 頁135-140 |
專 輯 | 奈米工程暨微機電系統技術專輯 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 準分子雷射; 微加工; 單晶矽; Excimer laser; Micro-machining; Silicon single crystal; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 由於準分子雷射之波長短,能量密度高、脈衝時間短,可瞬間將材料汽化剝離,以 盡量減低熱效應之產生,因此較有利於加工表面之精度/光滑度,以及降低次表面之損傷。此 外,由於其波長短,可達到之光學解析度及加工精度相對提高,這使得準分子雷射成為精密 加工中極富潛力之工具之一。本研究以KrF(248 nm)準分子雷射對Si(100)單晶表面進行剝蝕 實驗,藉由顯微組織觀察、成份及結構分析,對其剝蝕過程及加工後蝕孔表面之基本機械特 性進行分析,並配合以稀釋之HF腐蝕試片表面及其斷面。結果顯示以準分子雷射加工矽單晶 其主要之材料移除機制為光熱機制,雷射在擊中矽單晶表面後,首先引發電漿迅速向外擴張, 而後因熱效應造成之熔液在高壓作用下噴流而出。而在經HF腐蝕20sec後之蝕孔內部表面可 見明顯之晶粒狀堆積(粒徑約2.5μm之間)及微裂痕存在其間。這些現象說明了在蝕孔內之冷 卻固化過程中,其表面已成長了一層多晶質材料,而由於快速冷卻過程中之熱應力,使其表 面因而產生微裂。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。