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題 名 | 碳化矽粒子強化銀基電接觸材料製程及性質研究 |
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作 者 | 許宏輝; 林宗賢; 林樹均; | 書刊名 | 粉末冶金會刊 |
卷 期 | 23:4 1998.11[民87.11] |
頁 次 | 頁208-212 |
分類號 | 440.35 |
關鍵詞 | 銀基複合材料; 電弧沖蝕; 導電性質; 熱膨脹性質; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本實驗以無電鍍銀技術在12.5 ,5,1.5um碳化矽粒子表面被覆一層銀膜,再於600 ℃,300 Mpa,15 分鐘大氣熱壓成型,得到 10、20、30,40 vol% SiCp/Ag 複合材料。 結 果顯示 SiCp 經無電鍍銀在大氣熱壓成型, 可得接近完全緻密的各種 SiCp/Ag 複合材料; 碳化矽粒子分佈尚稱均勻,但較低 SiCp 含量則有局部富銀區現象。維氏硬度量測顯示粒子 尺寸愈小、 含量愈多, HV 值愈高; 三點彎曲試驗顯示, 粒子愈小強度愈高, 10 vol% 1.5um SiCp/Ag 可達 348 MPa。 熱膨脹量測得知,SiCp 尺寸變小與含量增加,則熱膨脹係 數隨之變小。以定距單弧沖蝕試驗可知 SiCp 強化材含量愈多,銀被熔化的現象愈不明顯, 沖蝕深度較淺,但沖蝕表面上粒子團聚現象較明顯;較大粒子較不易被濺射出來,其複合材 料電弧沖蝕深度較淺。四點探針法測出的導電率顯示複合材料的導電率隨 SiCp 尺寸變小與 含量增加而變小,10vol % 的各種複合材料之導電率都可以達到 80% IACS; SiCp/Ag 之導 電率優於 CdO/Ag,也比 SnO ��/Ag 高許多,尤其是粗 SiCp 者。因此整體而言無電鍍銀再 經大氣熱壓製成的 SiCp/Ag 複合材料,在電接觸用途上深具潛力。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。