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題名 | 溶解抑制劑--於193nm深紫外光光阻劑上之應用=Applications of Dissolution Inhibitors in 193mm Deep UV Photoresists |
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作者姓名(中文) | 卜詩堯; 林紫鈺; | 書刊名 | 化工資訊月刊 |
卷期 | 12:10 1998.10[民87.10] |
頁次 | 頁40-49 |
分類號 | 460.047 |
關鍵詞 | 溶解抑制劑; 深紫外光光阻劑; 193nm; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 因為PHS(polyhydroxystyrene)樹脂之苯環結構在193 nm之吸收過高, 無法應用於193 nm深紫外光光阻劑材料,而必須使用壓克力系或環烷系,以致 耐蝕刻性能較差。為彌補這一缺憾,可在光阻劑中加入第三成份-溶解抑制劑 (dissolution inhibitor),以提高光阻劑之耐蝕刻性能;另外,亦可對193 nm透光 性、溶解速率差異及玻璃轉移溫度(Tg)等性能進行修飾,以期獲得性能較佳的193 nm深紫外光光阻劑。 |
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