查詢結果分析
相關文獻
- Characterization of Plasma Charging Induced Gate Oxide Damage during Metal Etching
- 應用正交參數設計法備製非晶形矽氫沈積速率之最佳化研究
- 織物低溫電漿接枝技術之應用
- 表面電漿波能量吸收光譜對金膜厚度變化的Kretschmann組態及化學偵測器之特性研究
- 電漿密度量測系統的製作與評估
- 電漿焚化熔融技術之研究發展與應用
- 電漿工程科技在表面處理工業應用之發展
- 中藥(材)中微量元素之檢驗方法及規格研訂2.--植物性中藥(材)中微量元素(銅、汞、鎘、鉛、砷、鈷、錳)檢驗方法及規格研訂之研究
- 低溫電漿處理促進織物接著技術
- 電漿工程科技在表面處理工業應用之發展
頁籤選單縮合
題 名 | Characterization of Plasma Charging Induced Gate Oxide Damage during Metal Etching=金屬蝕刻時電漿充電損害效應的探討 |
---|---|
作 者 | 林鴻志; 王夢凡; 簡昭欣; 黃調元; 張俊彥; | 書刊名 | Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering |
卷 期 | 22:3 1998.05[民87.05] |
頁 次 | 頁416-424 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 金屬蝕刻; 電漿; 充電損害效應; Plasma; Metal-oxide-semiconductor transistor; MOS transistor; Antenna effet; |
語 文 | 英文(English) |