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題 名 | 半導體製程即時微粒監測器(ISPM)之性能評估 |
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作 者 | 簡弘民; 周崇光; | 書刊名 | 工業安全科技 |
卷 期 | 27 1998.06[民87.06] |
頁 次 | 頁14-22 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 半導體製程; 微粒; 即時監測; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 製程機臺內所產生之微粒將隨著製程的日趨精細成為半導體微污染的主要來源。 本研究主要模擬半導體製程條件, 在高真空( 10 ﹣ 20 torr )及溫度為 20 ℃和 80 ℃ 測試環境下,進行美國 PMS 公司所製造之半導體製程即時微粒監測器( ISPM,Vaculaz ) 的性能評估。結果顯示, ISPM 在不同真空度下之微粒計數效率有顯著不同。測試腔真空度 從 120 torr 下降至 56 torr 時,計數效率有隨之下降之趨勢, 但當真空度低於 56 torr 時( 25 和 10 torr ),計數效率反而上升。ISPM 在不同偵測流速時,微粒之計數效率會 隨流速增加而下降。 在室溫條件下,計數效率最低可達 1 %以下( 304nm @ 2m ╱ s ) ,最高僅達 13 %左右( 711nm @ 0.2m ╱ s ),在高溫( 80 ℃)測試條件下,最高可 達 18 %( 711nm @ 0.2m ╱ s )。ISPM 在不同真空度下,小粒徑微粒(< 500nm )之 量測粒徑較接近標準粒徑,受真空度變化之影響較小,在 500 ∼ 600nm 之間,量測粒徑曲 線呈現下滑現象,此與理論反應曲線相吻合,證明 ISPM 在此粒徑範圍確實難以分辨微粒粒 徑。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。