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題 名 | The Study of Electrical Properties of the ZnO Semiconductor=氧化鋅半導體之電性研究 |
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作 者 | 陳宏仁; | 書刊名 | 樹德學報 |
卷 期 | 20 1997.07[民86.07] |
頁 次 | 頁103-123 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 變組體; 晶界; 微結構; 電特性; 燒結條件; 捕捉密度; Varistor; Grain boundary; Microstructure; Electrical properties; Sintering condition; Trap density; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 氧化鋅變阻體是一種陶瓷的裝置半導體,它有優越的非線性的V-I特性,且具有吸 收突電壓及高能量的能力。有很多研究者一直至致力於改善 ZnO 變阻體 V-I 非線性特性的 研究,其中有重要的發現乃是當加了 Mn 及 Co 氧化物後能大大的改善非線性的特性,這是 由於加了這些添加物後會使障壁高度 (Φ ) 增加,相對地也降低了漏電流。 我們也從曾作 當添加不同含量的 MnO 及 CoO 時,其對特性影響的 MnO 或 CoO 研究;結果發現非線性係 數 (α ) 值並不隨其參雜含量的增加而增加,這主要是由於 Mn 及 Co 皆是多價元素。 所 以在這研究裡我們便繼續於當添加不同價數的 Mn 及 CoO 氧化物時,對 ZnO 變阻體的微結 構、介電特性、晶粒成長及電性作探討,從我們實驗中有一些結果可被得到,概略類列於下 :(i) 當燒結溫度太底 (如 1200 ℃ 1hr) 時,晶粒生成不完全, 同時也無法生成到所需的結 構,所以它的電性也較不佳。 (ii) 不管任何組成及燒結條件不的試片,其電容值皆隨著頻率 的增加而降低;而介電損失則在不同頻率下皆有相似的變化趨勢。 (iii) 由電容 - 電壓關 係式求出陷阱密度,可發現其有較低陷阱密度的試片它會有較佳的電性;同時當燒結時間及 溫度增加時它的電性會較佳。 |
英文摘要 | Zinc oxide varistors are electronic ceramic material whose electrical behavior is dominated by grain boundary interface states. They exhibit a highly nonlinear currentvoltage relation. In this study, the microstructure, dielectric properties, grain growth and electrical properties of ZnO varistors system are studied individually. The results of this work are as follows:(i)When the sintering temperatures are too low (such as 1200 ℃, 1hr), which result the grain structures cannot completely growth. Also the samples have a bad electrical property. (ii) The capacitance value decrease with increasing frequency, even if the specimens are fabricate from different sintering conditions. The variation of dielectric losses have similar patterns for different sintering conditions. (iii)For electrical properties, the samples with lower trap density have better electrical properties, such as high nonlinear coefficient, high voltage ratio and low leakage current. The electrical properties are improved by increasing sintering temperature and time. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。