查詢結果分析
相關文獻
- 高頻轉導運算放大器之次微米技術設計與晶片實作
- An Analytical Threshold Voltage Model for Short-Channel Intrinsic-Type Silicon-on-insulator(SOI) P-Channel Metal-Oxide-Silicon (PMOS)Devices Based on Partitioning of Holes
- 有線電視系統「直調式光發射機/光接收機」視訊模組設計
- 光纖有線電視系統半推挽式光接收機之設計與製作
- 電流饋入推挽式電力轉換器之分析設計
- 奈米級先進金屬氧化半導體(MOS)元件的有效通道導電性
- 非傳統型比例積分控制行為的探討
- 短通道CMOS反相器延遲時間分析
- 新型軟切換推挽式轉換器於羊隻致昏應用
- Estimation of W-polycide Gated Process with Superior Device Behavior in Deep Sub-μm CMOS Technology
頁籤選單縮合
題 名 | 高頻轉導運算放大器之次微米技術設計與晶片實作=The Design and Chip Implementation of High Frequency Operational Transconductance Amplifier (OTA) in Submicron Technology |
---|---|
作 者 | 李世明; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷 期 | 6:1 1997.01[民86.01] |
頁 次 | 頁35-43 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 堆積式電流鏡; 短通道; 主極點; 推挽式; Stacked current mirror; Short channel; Dominant pole; Push-pull; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本報告將介紹利用聯華電子公司0.8微米CMOS DPDM類比製程,設計 一高單位增益頻寬電流增益式互補金氧半運算放大器,此運算放大器,將擁有70dB左右 的開迴路增益,100∼150MHz的單位增益頻寬,42°的相位邊界,121.1n s的安定時間,且迴轉率達150V╱μs。此電路在±2.5V的工作電壓下,消耗功率 為1.25mW,而此運算放大器其晶片面積只佔0.023mm�插A非常適用於類比超大 型積體電路中的高頻訊號處理應用。 |
英文摘要 | A high unity gain-bandwidth current gain-based CMOS operational amplifier implemented in an UMC 0.8 μ m double poly double metal (DPDM) analog process is presented. The amplifier performs as an operational transconductance amplifier (OTA) and displays a first-order dominant pole when loaded by a shunt capacitor. This CMOS operational amplifier offers an open-loop gain of 70dB, a unity-gain bandwidth of 100∼150MHz, with 42 ° phase margin and a slew-rate of 150V/ μ,s with a 0.1% settling response of 121.1ns for capacitive of loads 1pF. The circuit is operated from ± 2.5V power supply and dissipates 1.25mW. The chip area of transconductance amplifier is small (0.023mm �� ), and well suited for analog VLSI high frequency signal processing applications. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。