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題 名 | Design and Processing of Integrated Micro Accel-Erometers Using Standard CMOS Process=利用標準CMOS製程設計和製作整合型微加速度計 |
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作 者 | 戴慶良; 呂秀雄; 張培仁; | 書刊名 | 中國工程學刊 |
卷 期 | 20:1 1997.01[民86.01] |
頁 次 | 頁47-55 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 互補式金氧半導體; 感測器; 電容式; 加速度計; CMOS; Sensor; Capacitive; Accelerometer; |
語 文 | 英文(English) |
英文摘要 | 利用 0.8 μm DPDM 工業標準 CMOS 製程技術,製作完成微型電容式加速度計, 並整合切換電容電路在同一塊晶片上。 我們將說明電容式加速度計的工作原理, 並描述 CMOS 電容式加速度計的設計和後製程處理。 下金屬層 (metal1) 被選擇當作犧牲層,而電 容式加速度計的感測電容是由多晶矽層 (poly 1) 和上金屬層 (metal 2) 所組成。 在後製 程處理上,僅須一導光罩,並以磷酸蝕空犧牲層,釋放電容式加速度計的懸浮結構。使用切 換電容電路量測電容式加速計之輸出信號。此 CMOS 加速度計的工作頻寬為 150Hz,工作範 圍為± 15g,其敏性 120 μ V/g. yer. The post-CMOS processing steps need one mask only, and phosphoric acid is used to etch the sacrificial layer for releasing the suspended structure. A switched-capacitor circuitry is for the use of detecting the output signal of the accelerometer. The performance of this CMOS accelerometer demonstrates a bandwidth of 150Hz and an working range of ± 15g with a sensitivity of 120 μ V/g. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。