查詢結果分析
相關文獻
- A Technique to Reveal the Base Dopant Outdiffusion in AlGAAS/GAAS Heterojunction Bipolar Transistors
- 晶圓異質接合技術介紹
- Fabrication of Pb[fec5]Snx Te/PbTe Heterojunctions by Liquid Phase Epitaxy
- Ni/ZnO、NiO/ZnO異質結構奈米柱陣列:其製備、可調變之發光,及增益之光感測性能
- 超薄異質複合晶圓製程技術
- 摩擦攪拌銲接在異質(鐵/鋁)接合之研究
- 海洋環境對複合材料-金屬板異質接合之加速老化性能研究
- 摩擦攪拌點銲AZ61與LZ91異質鎂合金接合之銲接組織解析及拉伸接合強度與可靠度研究
- 使用高度〈111〉向奈米雙晶銅之低熱預算銅/二氧化矽異質接合與其低接觸電阻之研究
頁籤選單縮合
題 名 | A Technique to Reveal the Base Dopant Outdiffusion in AlGAAS/GAAS Heterojunction Bipolar Transistors=顯示AlGaAs/GaAs異質接合二極電晶體中基極摻質外擴散的一項技術 |
---|---|
作 者 | 張彥華; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷 期 | 5:1 1996.01[民85.01] |
頁 次 | 頁153-158 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 異質接合; 外擴散; Heterojunction; Outdiffusion; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 在MBE系統長出的異質接合二極電晶體裡,基極摻質外擴散是晶片製程和元件使用中的一項主要顧慮。這會引起集極電流的變化,然而我們所量到的電流變化卻是各種不同元件參數的總和效應,造成分析外擴散效應時的困難。為了使基極摻質外擴散造成的影響與其他隔離,一項新的量測技術已被發展。這項技術的有效性也同時以兩種實驗結果來展示。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。