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題名 | A Technique to Reveal the Base Dopant Outdiffusion in AlGAAS/GAAS Heterojunction Bipolar Transistors=顯示AlGaAs/GaAs異質接合二極電晶體中基極摻質外擴散的一項技術 |
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作者姓名(中文) | 張彥華; | 書刊名 | 國立雲林技術學院學報 |
卷期 | 5:1 1996.01[民85.01] |
頁次 | 頁153-158 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | 異質接合; 外擴散; Heterojunction; Outdiffusion; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 在MBE系統長出的異質接合二極電晶體裡,基極摻質外擴散是晶片製程和元件使用中的一項主要顧慮。這會引起集極電流的變化,然而我們所量到的電流變化卻是各種不同元件參數的總和效應,造成分析外擴散效應時的困難。為了使基極摻質外擴散造成的影響與其他隔離,一項新的量測技術已被發展。這項技術的有效性也同時以兩種實驗結果來展示。 |
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