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題 名 | The Emission Wavelength Tailoring of InGaAsP/InGaAs Quantum Well Prepared by Omvpe Technique and Measured by Photoluminescence=以有機金屬汽相磊晶成長及光激冷放光量測技術設計砷磷化銦鎵/砷化銦鎵量子井之發光波長 |
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作 者 | 林蔚; 張傳揚; 柯孫堅; 施天從; 涂元光; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 2:1 1995.02[民84.02] |
頁 次 | 頁55-60 |
分類號 | 448.59 |
關鍵詞 | 有機金屬汽相磊晶; 量子井; 應力; 能隙不連續值; OMVPE; Quantum well; Strain; Band offset; |
語 文 | 英文(English) |