查詢結果分析
相關文獻
- GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors (MSM-PD's) with AlGaAs Cap and Buffer Layers
- SiO[feaf]/SiON/SiO[feaf]/Si波導應用於0.98/1.55微米方向耦合器之最佳化設計與理論分析
- 8-14 μm Normal Incident Optical Transition in GaSb/InAs Superlattices
- 陶瓷對衛星定位縮小化微帶天線之影響
- MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務
- MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務
- 氮化鎵緩衝層對氮化鎵磊晶膜品質之影響
- 金屬-半導體-金屬行波式光偵測器
- 脈衝式準分子雷射製備釔鋇銅氧化物超導薄膜於加緩衝層之矽晶面
- 流體在管內紊流之緩衝層速度分佈
頁籤選單縮合
題 名 | GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors (MSM-PD's) with AlGaAs Cap and Buffer Layers=具有砷化鋁錠覆蓋層及緩衝層的砷化鎵金屬-半導體-金屬光偵測器 |
---|---|
作 者 | 袁榮亨; 謝佳霖; 林瑞明; 綦振瀛; | 書刊名 | 中國工程學刊 |
卷 期 | 18:3 1995.05[民84.05] |
頁 次 | 頁445-449 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 金屬-半導體-金屬光偵測器; 覆蓋層; 緩衝層; 低頻內在增益; MSM-PD's; Cap layer; Buffer layer; Low frequency internal gain; |
語 文 | 英文(English) |