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題 名 | 由電壓對電流現象決定磷化銦鎵/砷化鎵HBT之射極平臺蝕刻終點 |
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作 者 | 陳力民; 廖森茂; 蘇炎坤; 魏上欽; 王俊凱; 王瑞祿; 陳文章; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 15:3 2002.09[民91.09] |
頁 次 | 頁51-53 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 磷化銦鎵/砷化鎵; 蝕刻; HBT; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本論文以在不使用測厚儀(α-step)之情況下,針對InGaP/GaAs結構異質接面電晶體,直接以溼蝕刻(Wet Etching)方式蝕刻,同時配合選擇性蝕刻溶液使用,透過二相鄰電晶體之射極(Emitter)對射極電壓電流特性曲線變化情形,直接判斷蝕刻深度是否已達到基極(Base)位置,並製作基極電極,最後蝕刻至集極位置,製作集極電極,並完成電晶體三端特性量測。實驗之蝕刻溶液選擇硫酸(H2SO4)與雙氧水(H2O2)與水(H2O)比例為1:4:45來蝕刻砷化銦鎵及砷化鎵,利用硫酸蝕刻液對磷化銦鎵之選擇性蝕刻特性,以磷酸(H3PO4)與鹽酸(HCI)比例為1:1之溶液蝕刻磷化銦鎵,以HP-4155B量測不同蝕刻深度對射極對射極電壓電流特性曲線變化情形及電晶體三端特性曲線。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。