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題名 | 微結構與添加劑含量對鈦酸鋇電阻係數之影響 |
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作者姓名(中文) | 黃玉章; 林和龍; | 書刊名 | 大同學報 |
卷期 | 23 1993.11[民82.11] |
頁次 | 頁273-277 |
分類號 | 440.33 |
關鍵詞 | 含量; 添加劑; 微結構; 電阻係數; 鈦酸鋇; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 鈦酸鋇添加微量半導體化元素後具有正溫度係數(PTC)之特性。雖然,PTC鈦酸 鋇之商品化應用已超過三十年,但仍無法合理的解釋,為什麼室溫電阻係數會隨著添加量而 改變。除了電阻係數之變化外,含高半導體化添加劑之鈦酸鋇試片會有抑制晶粒成長之現象 ,而抑制晶粒成長之機構仍不為人們所瞭解。因為類似空位( vacancy )之缺陷( defect )在鈦酸鋇燒結之擴散程序中扮演重要之角色, 所以化學計量比( stoichiometry )與不 純物的含量對於研究之結果影響很大。 為了探討 La 所佔有之晶格位置, 以及 La 在 perovs-kite 結構中之溶解度,將純鈦酸鋇以各種假設之化學計量比添加 La 至 9at%。 經 由 X- 光繞射分析顯示,若提供足量之 Ba 空位時 La 雖添加至 1.5at%,仍可完全溶入 Ba 之位置。本研究探討添加劑含量與燒結氣氛之影響。晶粒中缺陷之形式視冷卻氣氛而定,缺 陷不但會影響補償機構且會影響晶格常數,補償機構與晶格常數又會影響到 50 ℃之電阻係 數。 |
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