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題名 | Raman Scattering in B狇-Implanted and Postimplantation Annealed Hg盁Cd矴Te=以拉曼散射觀察Hg盁Cd矴Te硼離子佈植及佈植後之退火處理 |
---|---|
作者 | 程亞桐; 江建德; 范德慈; 王繼華; 龐炎銘; 楊聲震; | 書刊名 | 材料科學 |
卷期 | 25:2 1993.06[民82.06] |
頁次 | 頁114-117 |
分類號 | 440.23 |
關鍵詞 | 佈植; 拉曼散射; 退火; 硼離子; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 我們利用拉曼散射來研究離子佈植及佈植後經退火之(111)Hg0.7Cd0.3Te 之疊晶層。LO�竣咾C�祝蛫鴭蹻O�紡狺妞蛫黿j度在經B�概G植後會增大。二次 散射之強度會隨佈植量由10�騁躁W致10�騁懶ons/cm�揹犰茷鬮礞U降。佈植所致之 傷害可用退火來消除。 |
英文摘要 | We have used Raman scattering to study the implantation damage and post implantation annealingeffect on (111)Hg0.7Cd0.3Te epilayers. The relative intensity of LO�� and LO�� mode compared to TO�痂ode increases after B��-implantation. The intensity of second-order scattering shows a monotonic decrease with increasing implantation dose from 10�騁礫o 10�騁懶ons/cm��. The implantation damage could be annihilated by adequate thermal annealing. |
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