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題名 | 銅離子在電化學反應上受陰離子影響之研究 |
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作者姓名(中文) | 曾錦興; | 書刊名 | 技術學刊 |
卷期 | 7:2 1992.06[民81.06] |
頁次 | 頁161-169 |
分類號 | 468 |
關鍵詞 | 陰離子; 電化學; 銅離子; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究探討不同陰離子鍍液對銅離子在電化學反應之影響,我們以瞬間技術,旋轉電極和電泳等方法,分別測量不同鍍液之活化過電壓, 擴散係數和游動力。由實驗發現,氣化銅,氟硼酸銅,過氯酸銅等鍍液之活化過電壓較硫酸銅鍍液為低些。這些鍍液之擴散係數則較硫酸銅鍍液為高。另外硫酸銅鍍液之游動力較氣化銅鍍液為高, 但硫酸銅, 氟硼酸銅,過氯酸鋼等鍍液之游動力則相差不多。對於這些實驗結果我們提出合理的理由來加以解釋。 |
英文摘要 | The effects of anions including SO42-, BF4-, ClO4- and F- on the polarization of copper deposition, the diffusion coefficient and mobility of copper ions are examined by rotating disk electrode and electrophoresis measurement, respectively. The polarizations are obtained by the transient technique. The diffusion coefficients of copper ion in the BF4-, ClO4- and F- ions baths are higher than that in the SO42- bath, but the mobility is higher in the sot bath than in the F- bath. Copper ions in the SO42-, BF4-, and ClO4- baths are found to have similar mobility. Several reasons are proposed to explain the experimental observations. |
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