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題 名 | Defects and Doping Effects in Cd Te and CuInS [feaf]by, Phosphorus Ion Implantation and Pulsed Electron Beam Annealing=碲化鎘與銅銦化二硫晶體中因磷離子佈植及脈衝電子束褪火所引起之缺陷之摻雜效應之研究 |
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作 者 | 翁恆義; 黃惠良; | 書刊名 | Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering |
卷 期 | 14:1 1990.01[民79.01] |
頁 次 | 頁1-10 |
分類號 | 337.472 |
關鍵詞 | 因磷離子; 佈植; 脈衝; 電子束褪火; 摻雜效應; 銅銦化二硫晶體; 碲化鎘; |
語 文 | 英文(English) |