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| 題 名 | 半導體材料矽之試製(2)--SiHcl[feb0]液之製造技術 |
|---|---|
| 作 者 | 劉國橋; | 書刊名 | 材料科學 |
| 卷 期 | 4:3 1972.09[民61.09] |
| 頁 次 | 頁177-189 |
| 關鍵詞 | SiHcl[feb0]液; 半導體材料; 矽; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 本研究試驗依照各國最廣用之矽半導體材料之工業的製造方法即先將工業用矽 (98 ~99 % Si) 與無水HCl氣體相反應而製成粗製SiHCl3液 (此為第1段過程),然後將粗製SiHCl3液蒸餾而得純SiHCl3蒸氣,以純氫氣還原而得高純度之多結晶矽棒 (此為第2段過程)。因時間限制,本報告僅就第1段過程即製造SiHCl3液之技術研究結果作詳細之敘述。至於第2段過程須待下年度繼讀研究之。 據本研究試驗結果,則工業用矽與無水HCl氣體之反應溫度以370℃為最佳,無水HCl氣體主流速以55l/hr附近 (即HCl氣體流速與氬氣流速相同時) 為最適宜,如此可得最多產量之SiHCl3液,且其純度亦最高。所用裝置上各玻璃旋塞均須用teflon製成,玻璃管之接合部皆須加入teflon填片。 |
| 英文摘要 | The technology of making the crude SiHCl3 liguid is studied, as the first part of the propjet to study the industrial process of manufacturing the extra high purity silicon polycrystalline bar. According to our test results, the best reaction temperature of the commercial silicon metal with the anhydrous HCl gas is 370℃ and the best flow rate of the HCl gas entering the reaction furnace is about 55 l/hr, for obtaining the maximum yield and highest purity of the crude trichlorosilane liguid, All cocks on the glass tubes for the passage of the trichlorosilane vapor and liguid should be made by teflon instead of glass, and at all joints of the ends of such glass tules, teflon packings should be inserted. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。