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| 題 名 | EUV干涉微影技術=EUV Interferometric Lithography Technologies |
|---|---|
| 作 者 | 陳柏熊; 林俊宏; 劉瑞雄; | 書刊名 | 科儀新知 |
| 卷 期 | 240 2024.09[民113.09] |
| 頁 次 | 頁11-20 |
| 專 輯 | 「EUV關鍵元件與技術」專題 |
| 分類號 | 448.65 |
| 關鍵詞 | EUV干涉微影技術; 極紫外光; 半導體製程; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 在先進的半導體製程領域中,含金屬的 EUV 負光阻是一種具有高度潛力的未來技術 節點材料。該材料可以通過 EUV 干涉微影技術 (EUV-IL) 進行評估。EUV-IL 在高解析度光 阻的開發中扮演著重要角色,這些光阻在應用於量產的 EUV 曝光機之前能先被 EUV-IL 評 估。目前的 EUV-IL 設置在國家同步輻射研究中心 (NSRRC) 的台灣光源 (TLS) 21B2 EUV 光 束線上,並使用自行製作的 EUV 透射光柵光罩,成功實現了 25 奈米半間距的線/間圖案, 這將可以用於先進的 EUV 光阻篩選,並對科學和業界的研究發展做出重要貢獻。 |
| 英文摘要 | In the area of the semiconductor manufacturing process, the metallic-containing EUV negative resist is a high-potential material for future technology nodes. The material can be evaluated by EUV interference lithography (EUV-IL). EUV-IL plays an important role in the development of high-resolution resists before applying them to the projection optical systems for industrial applications. The current EUV-IL setup, developed at Taiwan Light Source (TLS) 21B2 EUV beamline in the National Synchrotron Radiation Research Center (NSRRC), employs a high- quality, self-fabricated transmission grating EUV mask. This setup successfully achieves line/ space patterns down to 25 nm half-pitch, making it suitable for advanced EUV resist screening and signicantly contributing to both scientic and industrial research. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。