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來源資料
工業材料
436 2023.04[民112.04]
頁42-50
電機工程
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半導體及其他電子裝置
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題名
原子層沉積之前驅物技術=The Technology of Precursor for Atomic Layer Deposition
作者姓名(中文)
劉懷璿
;
包郁傑
;
書刊名
工業材料
卷期
436 2023.04[民112.04]
頁次
頁42-50
專輯
半導體有機材料技術專題
分類號
448.65
關鍵詞
原子層沉積
;
前驅物
;
階梯覆蓋率
;
配體
;
Atomic layer deposition
;
ALD
;
Precursor
;
Step coverage
;
Ligand
;
語文
中文(Chinese)
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