查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- 製程壓力對於化學氣相沉積法在銅箔上成長石墨烯之影響
- 化學氣相沉積法所備製石墨烯的超快載子動力學研究
- Fine-Structure Superplasticity in Materials
- Pore Structure Modification of Porous Support by PPCVD: A Technique to Reduce Permeability Loss
- 以微波加熱化學氣相沉積法成長奈米碳管之催化劑影響
- Aligning Mechanism of an in Situ Poled Nonlinear Optical Polymer Prepared Using the Chemical Vapor Deposition Method
- 鐵-9鋁-30錳-1碳-(0-1.5)鈦合金之機械性質研究
- 無鉛焊錫合金概論
- Improved Current-Voltage Characteristics on Four-Terminal GaAs and GaAs/InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors
- 半導體薄膜材料分析
頁籤選單縮合
題名 | 製程壓力對於化學氣相沉積法在銅箔上成長石墨烯之影響=The Effect of Process Pressure for the Graphene Growth on Copper Foil via Chemical Vapor Deposition |
---|---|
作者 | 吳長紘; 謝建國; | 書刊名 | 真空科技 |
卷期 | 32:1 2019.03[民108.03] |
頁次 | 頁46-50 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 石墨烯; 化學氣相沉積法; 製程壓力; 晶粒尺寸; Graphene; Chemical vapor deposition; Process pressure; Grain size; |
語文 | 中文(Chinese) |