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來源資料
新新科技年刊
14 2018.01[民107.01]
頁42-49
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題名
氮化錠功率元件與應用=Study of GaN Power Device for Appilication
作者
張翼
;
林岳欽
;
朱富權
;
洪國洋
;
蔡秉諭
;
蔡藎芝
;
書刊名
新新科技年刊
卷期
14 2018.01[民107.01]
頁次
頁42-49
分類號
448.552
關鍵詞
高功率
;
寬能隙
;
高崩潰電場
;
氮化鎵
;
High power
;
Wide bandgap
;
High breakdown field
;
GaN
;
語文
中文(Chinese)
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