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來源資料
奈米通訊
17:4 2010.12[民99.12]
頁32-36
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題 名
高功率氮化鎵電晶體研究=Study of High Voltage GaN Transistors
作 者
張翼
;
張嘉華
;
林岳欽
;
謝廷恩
;
陳宥綱
;
黃祿哲
;
書刊名
奈米通訊
卷 期
17:4 2010.12[民99.12]
頁 次
頁32-36
分類號
448.552
關鍵詞
高壓
;
氮化鎵
;
寬能隙
;
電晶體
;
High voltage
;
GaN
;
Wide bandgap
;
Transistors
;
語 文
中文(Chinese)
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