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| 題 名 | 氮化處理與介面工程於高介電材料金氧半元件之探討=Electrical Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Devices by Nitridation treatment and Interfacial Engineering on High-K Dielectrics |
|---|---|
| 作 者 | 王晉億; 黃芝傑; 陳敏璋; | 書刊名 | 奈米通訊 |
| 卷 期 | 24:3 2017.09[民106.09] |
| 頁 次 | 頁2-7 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 高介電材料; 等效電容厚度; 漏電流密度; 金氧半場效式電晶體; High-K dielectrics; Capacitance equivalent thickness; Leakage current density; MOSFET; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |