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| 題 名 | 高介電閘極材料前驅物技術開發=Development of Technology for Precursors of High-k Gate Dielectric Materials |
|---|---|
| 作 者 | 曾怡誠; 蘇尹翔; | 書刊名 | 工業材料 |
| 卷 期 | 467 2025.11[民114.11] |
| 頁 次 | 頁84-91 |
| 專 輯 | 半導體前段製程材料技術專題 |
| 分類號 | 349.34 |
| 關鍵詞 | 高介電材料; 原子層沉積; 稀土金屬; 鑭系金屬; High dielectric materials; Atomic layer deposition; ALD; Rare-earth metals; Lanthanide metals; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |