您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
科儀新知
211 2017.06[民106.06]
頁24-31
相關文獻
夢幻記憶體:非揮發性的磁性記憶體
找尋夢幻記憶體
淺談磁性記憶體技術原理與前景
不失憶的夢幻記憶體--磁性記憶體MRAM
磁性隨機存取記憶體之錯誤模型與測試
外漏磁場對垂直式自旋傳輸磁性記憶體的影響
經濟部學界科專計畫--高密度磁阻式隨機存取記憶體之核心技術研發
次世代新型MRAM材料技術--突破記憶容量1 Gbit新型MRAM材料之研發介紹
工研院電子所完成下世代磁性記憶體技術開發
磁性記憶體(MRAM)發展現況
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題名
夢幻記憶體:非揮發性的磁性記憶體=MRAM: A Promising Non-Volatile Memory
作者
陳柏全
;
林柏宏
;
賴志煌
;
書刊名
科儀新知
卷期
211 2017.06[民106.06]
頁次
頁24-31
專輯
固態物理專題
分類號
471.6511
關鍵詞
自旋轉移力矩運作型
;
自旋軌道力矩型
;
磁性記憶體
;
磁性隨機存取記憶體
;
MRAM
;
語文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址