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來源資料
電光先鋒
21 2012.12[民101.12]
頁18-22
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題 名
外漏磁場對垂直式自旋傳輸磁性記憶體的影響
作 者
黃勝煌
;
王丁勇
;
沈桂弘
;
簡政尉
;
郭耿銘
;
楊姍意
;
徐嘉宏
;
王泳弘
;
書刊名
電光先鋒
卷 期
21 2012.12[民101.12]
頁 次
頁18-22
分類號
471.6511
關鍵詞
穿隧磁阻元件
;
垂直式自旋傳輸磁性記憶體
;
垂直式磁化材料
;
外漏磁場
;
MRAM
;
PMA
;
STT-MRAM
;
語 文
中文(Chinese)
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