您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
指令檢索
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
資訊工業透析. 半導體與關鍵零組件
2001.10[民90.10]
頁7-14
電機工程
>
無線電話
相關文獻
行動電話演進趨勢對LP SRAM的影響
MRAM最新現況
行動電話的電源技術發展
MRAM的原理與設計
MRAM元件技術的展望
MRAM市場發展概況
新磁電子元件--磁阻隨機記憶體(MRAM)簡介
找尋夢幻記憶體
不失憶的夢幻記憶體--磁性記憶體MRAM
磁性隨機存取記憶體之錯誤模型與測試
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
行動電話演進趨勢對LP SRAM的影響
作 者
簡文強
;
書刊名
資訊工業透析. 半導體與關鍵零組件
卷 期
2001.10[民90.10]
頁 次
頁7-14
分類號
448.84
關鍵詞
行動電話
;
記憶體
;
LP SRAM
;
MRAM
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址