您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
粉體及粉末冶金會刊
41:2 2016.05[民105.05]
頁112-120
金屬工藝
>
腐蝕及保護;表面處理
相關文獻
二階段燒結法製備半導體用之鉭靶材與其薄膜特性研究
硒化鎘奈米半導體晶體的合成及在薄膜製備上的應用
以化學氣相沈積法成長半導體薄膜
薄膜型的被動整合元件與模組
汞探針量測系統及其在介電薄膜特性分析上之應用簡介
In-Situ Micro Strain Gauges for Measuring Residual Strain of Three CMOS Thin Using Only One Maskless Post-Processing Step
採用TEOS成長薄膜的現狀與未來
XPS超薄薄膜分析
有機半導體顯示元件
以分光式橢圓偏光儀量測膜厚之校正方法
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
二階段燒結法製備半導體用之鉭靶材與其薄膜特性研究
作 者
陳琨明
;
傅丞逸
;
書刊名
粉體及粉末冶金會刊
卷 期
41:2 2016.05[民105.05]
頁 次
頁112-120
分類號
472.16
關鍵詞
Ta靶材
;
薄膜
;
半導體
;
火花電漿燒結
;
熱均壓
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址