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題名 | 利用半導體CMOS製程中化學氣相沉積堆疊之超薄二硫化鉬立體鰭式場效電晶體元件=Stackable MoS₂ FinFETs Using Solid CVD by CMOS-Compatible Process Technology |
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作者 | 陳旻政; 李愷信; 陳奕如; 陳綉芝; 魏耘捷; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷期 | 23:1 2016.03[民105.03] |
頁次 | 頁41-44 |
關鍵詞 | 二硫化鉬; 過渡金屬亞硫族; 二硫化鉬鰭式場效電晶體; 背電壓控制臨界電壓; Molybdenum disulfide; MoS₂; Transition-metal dichalogenide; TMD; MoS₂ FinFETs; Back bias control of Vth; |
語文 | 中文(Chinese) |