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| 題 名 | 利用乾式蝕刻技術製作菱形全包覆式鍺/鍺矽奈米線場效電晶體=Diamond-shaped Ge and Ge₀.₉Si₀.₁ Gate-All-Around Nanowire FETs with Four {111} Facets by Dry Etch Technology |
|---|---|
| 作 者 | 侯福居; 莊尚勳; 袁偉佑; 吳建霆; 李耀仁; 陳建亨; 侯拓宏; | 書刊名 | 奈米通訊 |
| 卷 期 | 23:1 2016.03[民105.03] |
| 頁 次 | 頁37-40 |
| 關鍵詞 | 鍺基電晶體; 全包覆式電晶體; 乾式蝕刻; 奈米線; 鍺矽電晶體; Ge MOSFET; GAA MOSFET; Dry etch; Nanowire; GeSi MOSFET; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |