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題 名 | 以分子束磊晶技術成長二維材料硒化鎵薄膜之研究=The Study of GaSe Epilayers Grown on a C-sapphire Substrate by Molecular Beam Epitaxy |
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作 者 | 吳家興; 楊祝壽; 王彥其; 魏伶容; 何焱騰; 張翼; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 28:4 2015.12[民104.12] |
頁 次 | 頁36-43 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 硒化鎵; 分子束磊晶; 反射式高能電子繞射; 銅摻雜; 穿透式電子顯微鏡; GaSe; Molecular beam epitaxy; RHEED; Cu doping; TEM; |
語 文 | 中文(Chinese) |