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題 名 | 3D立體鰭式電晶體(FinFET)簡介及其節能表現 |
---|---|
作 者 | 吳科慧; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 19:3=212 2013.03[民102.03] |
頁 次 | 頁82-96 |
專 輯 | 半導體與光電製程設備專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 鰭式電晶體; 三閘極電晶體; 金氧半場效電晶體; 互補式金屬氧化物半導體; 3D元件; 3D電晶體; 節能電晶體; 節能元件; FinFET; Tri-Gate; MOSFET; CMOS; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文將介紹3D立體鰭式電晶體(FinFET)或是三閘極電晶體(Tri-Gate)的結構以及由來。和傳統2D平面電晶體(Planar CMOS)比較起來,鰭式電晶體或是三閘極電晶體優越的電氣特性以及用在積體電路(IC)上的高能源使用效率和節能的表現也會做簡單說明。由於鰭式電晶體或是三閘極電晶體已經經過廣泛的研究,而且英特爾(Intel)也已經開始量產由鰭式電晶體或是三閘極電晶體所構成的22奈米(nm)技術微處理器代號Ivy Bridge,本文將著重在闡釋鰭式電晶體或是三閘極電晶體高能源使用效率的優越特性和在節能電路上的運用,尤其是在行動裝置上的運用。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。